Память - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Память

Товары в наличии
Распродажа
Наименование
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
Интерфейс
Объём памяти
Организация памяти
Напряжение питания
Особенности
Рабочая температура
Время доступа

Фильтр×

Производитель:
CN BELL ×

Найдено: 614

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Корпус	Тип памяти	Подтип памяти	Интерфейс	Объём памяти	Организация памяти	Напряжение питания, min	Напряжение питания, max	Особенности	Рабочая температура, min	Рабочая температура, max	Время доступа
BL25CM1A-PARC (CN BELL) % Выбрать →	15 905 шт.	от 74,02	0 дн. Немедленно									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C08F-NTRC (CN BELL) % Выбрать →	20 260 шт.	от 113,00	0 дн. Немедленно	—								1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 5000V
BL24C02F-PARC (CN BELL) Выбрать →	96 348 шт.	от 3,47	12 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 6000V
BL24C04F-PARC (CN BELL) Выбрать →	160 534 шт.	от 3,13	13 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 6000V
BL24C08F-PARC (CN BELL) Выбрать →	138 098 шт.	от 3,83	13 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 5000V
BL24C128A-PARC (CN BELL) Выбрать →	98 166 шт.	от 7,90	13 дн.									Compatible with all data transfer protocol (1MHz, 400 kHz, 100kHz), 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Self-timed Write Cycle, Additional Write lockable page
BL24C256A-PARC (CN BELL) Выбрать →	202 702 шт.	от 7,82	12 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C32A-PARC (CN BELL) Выбрать →	26 390 шт.	от 4,04	20 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24C512A-PARC (CN BELL) Выбрать →	163 579 шт.	от 14,09	12 дн.									4 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C64A-PARC (CN BELL) Выбрать →	123 084 шт.	от 5,99	12 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24CM1A-PARC (CN BELL) Выбрать →	135 750 шт.	от 24,27	12 дн.									4 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 5 ms, Page Write within 5 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C16F-PARC (CN BELL) Выбрать →	230 066 шт.	от 4,38	12 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL25CM2A-PARC (CN BELL) Выбрать →	26 352 шт.	от 54,84	12 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24CM2A-PARC (CN BELL) Выбрать →	39 998 шт.	от 49,55	12 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C256AE0-PARC (CN BELL) Выбрать →	46 170 шт.	от 12,29	13 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24C02F-RRRC (CN BELL) Выбрать →	223 260 шт.	от 3,39	13 дн.	—								1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 6000V
BL24C128A-NTRC (CN BELL) Выбрать →	65 330 шт.	от 7,51	12 дн.	—								Compatible with all data transfer protocol (1MHz, 400 kHz, 100kHz), 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Self-timed Write Cycle, Additional Write lockable page
BL24C128A-SFRC (CN BELL) Выбрать →	67 234 шт.	от 6,72	13 дн.	—								Compatible with all data transfer protocol (1MHz, 400 kHz, 100kHz), 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Self-timed Write Cycle, Additional Write lockable page
BL24C16A-PARC (CN BELL) Выбрать →	81 162 шт.	от 6,05	16 дн.	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24C16A-SFRC (CN BELL) Выбрать →	19 054 шт.	от 4,00	16 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 31, показано 20 товаров из 614

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.