Память - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Память

Товары в наличии
Распродажа
Наименование
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
Интерфейс
Объём памяти
Организация памяти
Напряжение питания
Особенности
Рабочая температура
Время доступа

Фильтр×

Производитель:
CN BELL ×

Найдено: 614

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Корпус	Тип памяти	Подтип памяти	Интерфейс	Объём памяти	Организация памяти	Напряжение питания, min	Напряжение питания, max	Особенности	Рабочая температура, min	Рабочая температура, max	Время доступа
BL25CM1A-PARC (CN BELL) % Выбрать →	9 965 шт.	от 56,00	0 дн. Немедленно									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C08F-NTRC (CN BELL) % Выбрать →	6 980 шт.	от 112,00	0 дн. Немедленно	—								1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 5000V
BL24C02F-PARC (CN BELL) Выбрать →	76 970 шт.	от 2,37	13 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 6000V
BL24C04F-PARC (CN BELL) Выбрать →	131 019 шт.	от 2,54	14 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 6000V
BL24C08F-PARC (CN BELL) Выбрать →	65 788 шт.	от 2,99	14 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 5000V
BL24C128A-PARC (CN BELL) Выбрать →	26 455 шт.	от 6,17	14 дн.									Compatible with all data transfer protocol (1MHz, 400 kHz, 100kHz), 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Self-timed Write Cycle, Additional Write lockable page
BL24C256A-PARC (CN BELL) Выбрать →	50 138 шт.	от 6,32	13 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C32A-PARC (CN BELL) Выбрать →	16 314 шт.	от 3,80	25 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24C512A-PARC (CN BELL) Выбрать →	182 990 шт.	от 8,88	13 дн.									4 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C64A-PARC (CN BELL) Выбрать →	87 271 шт.	от 4,05	13 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24CM1A-PARC (CN BELL) Выбрать →	60 700 шт.	от 23,96	13 дн.									4 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 5 ms, Page Write within 5 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C16F-PARC (CN BELL) Выбрать →	105 126 шт.	от 3,11	14 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL25CM2A-PARC (CN BELL) Выбрать →	12 597 шт.	от 50,37	14 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24CM2A-PARC (CN BELL) Выбрать →	16 264 шт.	от 45,17	13 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C256AE0-PARC (CN BELL) Выбрать →	4 285 шт.	от 16,32	14 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24C02F-RRRC (CN BELL) Выбрать →	71 801 шт.	от 2,56	14 дн.	—								1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 6000V
BL24C04A-SFRC (CN BELL) Выбрать →	520 шт.	от 6,02	14 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24C128A-NTRC (CN BELL) Выбрать →	38 916 шт.	от 6,65	13 дн.	—								Compatible with all data transfer protocol (1MHz, 400 kHz, 100kHz), 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Self-timed Write Cycle, Additional Write lockable page
BL24C128A-SFRC (CN BELL) Выбрать →	36 712 шт.	от 5,77	17 дн.	—								Compatible with all data transfer protocol (1MHz, 400 kHz, 100kHz), 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Self-timed Write Cycle, Additional Write lockable page
BL24C16A-PARC (CN BELL) Выбрать →	33 225 шт.	от 6,08	18 дн.	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 31, показано 20 товаров из 614

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.