Память - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Память

Товары в наличии
Распродажа
Наименование
Корпус
Тип памяти
Подтип памяти
Интерфейс
Объём памяти
Организация памяти
Напряжение питания
Особенности
Рабочая температура
Время доступа

Фильтр×

Производитель:
CN BELL ×

Найдено: 614

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Корпус	Тип памяти	Подтип памяти	Интерфейс	Объём памяти	Организация памяти	Напряжение питания, min	Напряжение питания, max	Особенности	Рабочая температура, min	Рабочая температура, max	Время доступа
BL25CM1A-PARC (CN BELL) % Выбрать →	18 352 шт.	от 58,00	0 дн. Немедленно									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C08F-NTRC (CN BELL) % Выбрать →	21 262 шт.	от 112,00	0 дн. Немедленно	—								1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 5000V
BL24C02F-PARC (CN BELL) Выбрать →	105 936 шт.	от 3,01	12 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 6000V
BL24C04F-PARC (CN BELL) Выбрать →	132 840 шт.	от 3,11	13 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 6000V
BL24C08F-PARC (CN BELL) Выбрать →	111 820 шт.	от 3,70	13 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 5000V
BL24C128A-PARC (CN BELL) Выбрать →	122 894 шт.	от 6,89	13 дн.									Compatible with all data transfer protocol (1MHz, 400 kHz, 100kHz), 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Self-timed Write Cycle, Additional Write lockable page
BL24C256A-PARC (CN BELL) Выбрать →	82 694 шт.	от 7,59	12 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C32A-PARC (CN BELL) Выбрать →	100 000 шт.	от 3,82	20 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24C512A-PARC (CN BELL) Выбрать →	241 406 шт.	от 10,36	12 дн.									4 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C64A-PARC (CN BELL) Выбрать →	191 840 шт.	от 5,15	12 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24CM1A-PARC (CN BELL) Выбрать →	114 514 шт.	от 24,86	12 дн.									4 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 5 ms, Page Write within 5 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C16F-PARC (CN BELL) Выбрать →	150 460 шт.	от 3,91	12 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL25CM2A-PARC (CN BELL) Выбрать →	22 666 шт.	от 53,22	13 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24CM2A-PARC (CN BELL) Выбрать →	57 202 шт.	от 46,68	12 дн.									1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
BL24C256AE0-PARC (CN BELL) Выбрать →	39 140 шт.	от 12,28	13 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24C02F-RRRC (CN BELL) Выбрать →	171 164 шт.	от 3,23	13 дн.	—								1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 1 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect Pin for Hardware Data Protection, ESD/Latch-up protection HBM 6000V
BL24C04A-SFRC (CN BELL) Выбрать →	120 000 шт.	от 2,90	20 дн.		—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BL24C128A-NTRC (CN BELL) Выбрать →	38 706 шт.	от 7,47	12 дн.	—								Compatible with all data transfer protocol (1MHz, 400 kHz, 100kHz), 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Self-timed Write Cycle, Additional Write lockable page
BL24C128A-SFRC (CN BELL) Выбрать →	91 400 шт.	от 6,69	13 дн.	—								Compatible with all data transfer protocol (1MHz, 400 kHz, 100kHz), 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression, Byte Write within 3 ms, Page Write within 3 ms, Partial Page Writes Allowed, Self-timed Write Cycle, Additional Write lockable page
BL24C16A-PARC (CN BELL) Выбрать →	34 080 шт.	от 5,28	18 дн.	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 31, показано 20 товаров из 614

Энергонезависимая память - интегральная микросхема, способная сохранять данные без электропитания.

Энергонезависимая память предназначена для сохранения электронной двоичной информации во внутренних регистрах (ячейках памяти). Она выполняется на основе полупроводниковых элементов в корпусе большой интегральной схемы EEPROM и представлена, в основном, в последовательном варианте, что несомненно является преимуществом перед чипсетами с параллельным вводом данных. Данное преимущество заключается в минимизации размеров корпусов микросхем, уменьшении количества выводов и снижению затрат на их производство. Последовательный ввод данных в чипсет компенсируется увеличением частоты на запись/ чтение.

Энергонезависимая память на современном этапе своего развития получила новое поколение энергонезависимых микросхем с применением технологий NAND и NOR в которых оптимизированы методы объединения ячеек памяти в массивы и способы организации алгоритмов чтения и записи FLASH-памяти. Микросхемы FLASH-памяти обладают высокой надежностью и долговечностью к хранению данных, а количество циклов перезаписи достигает 1 миллиона раз.

Энергонезависимая память широко применятся в высокотехнологичных разработках электронной промышленности, средствах измерений, медицинских приборах и в технике связи.